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PQ1CZ21H2Z 发布时间 时间:2025/8/27 20:55:19 查看 阅读:10

PQ1CZ21H2Z 是一款由罗姆(Rohm)公司生产的N沟道功率MOSFET,主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优异的热稳定性,适用于高效率、高密度的电源设计。PQ1CZ21H2Z采用紧凑型封装,便于在有限空间内进行高效散热。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):4.1A
  导通电阻(Rds(on)):82mΩ @ Vgs=4.5V
  导通电阻(Rds(on)):100mΩ @ Vgs=2.5V
  功率耗散(Pd):2W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TSMT(超薄小型表面贴装)

特性

PQ1CZ21H2Z 具有多个显著的技术特性,使其在低电压功率应用中表现出色。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在导通状态下具有极低的功率损耗,提高了整体电源转换效率。在Vgs=4.5V时,Rds(on)仅为82mΩ,而在Vgs=2.5V时也仅为100mΩ,这使其适用于低电压驱动电路,例如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。
  其次,PQ1CZ21H2Z 采用了罗姆专有的沟槽式MOSFET结构,这不仅提升了器件的电流承载能力,还增强了其热稳定性。在高温环境下仍能保持稳定的性能,从而提高了系统的可靠性和寿命。
  此外,该MOSFET采用TSMT封装,体积小巧且适合表面贴装工艺,有助于实现高密度PCB布局。其2W的功率耗散能力配合良好的热管理设计,可在有限空间内实现高效的功率处理。
  最后,PQ1CZ21H2Z 的栅极驱动电压范围为±12V,具备良好的抗干扰能力,适用于各种数字控制的功率系统。

应用

PQ1CZ21H2Z 适用于多种低电压功率转换和控制应用。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及便携式电子设备中的电源管理模块。其低导通电阻和高效率特性也使其成为电机驱动、LED驱动和电源管理IC(PMIC)中的理想选择。此外,该器件还可用于工业自动化设备、通信电源模块和智能电表等需要高效功率控制的场景。

替代型号

PQ1CZ21H2Z 的替代型号包括Rohm的PQ1R401H1Z、Toshiba的TSM221N02CX、以及ON Semiconductor的NDS355AN。这些型号在电气特性、封装尺寸和应用场景上具有较高的兼容性,但具体选型应根据实际电路设计和性能需求进行评估。

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