时间：2025/8/28 3:51:43
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PQ1CZ1U 是一款由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种需要高效能功率开关的场合。其封装形式为SOT-223，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
漏极电流（Id）：100mA（最大值）
导通电阻（Rds(on)）：约3.5Ω @ Vgs=4.5V
功率耗散（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOT-223
PQ1CZ1U 采用先进的功率MOSFET工艺制造，具备较低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。其SOT-223封装具备良好的热稳定性，适合在空间受限的环境中使用。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从2.5V到10V之间的稳定工作，适应性强，适用于多种控制电路设计。
该MOSFET具有快速开关特性，适合用于高频DC-DC转换器中，有助于减小外部滤波元件的体积，提高电源系统的整体效率。同时，其良好的温度特性保证了在高温环境下依然可以稳定运行。PQ1CZ1U还具备较强的抗静电能力，增强了器件在复杂电磁环境中的可靠性。
PQ1CZ1U 主要应用于小型电源模块、DC-DC转换器、LED驱动电路、电池管理系统、便携式电子设备的电源开关控制以及各类低功率电机驱动电路中。此外，它也适用于需要高效能、小尺寸功率开关的消费类电子产品和工业控制设备。
PQ1CZ1RH、PQ1CZ1VD、PQ1CZ1YH
