MB87M1370TB-GE1 时间：2025/8/9 0:57:06 阅读：28

MB87M1370TB-GE1是一款由富士通（Fujitsu）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为128K x 8位，总存储容量为1Mbit。该芯片采用高性能的CMOS工艺制造，具有低功耗、高速访问和高可靠性的特点，适用于各种工业控制、通信设备以及嵌入式系统中需要高速缓存存储的应用场景。MB87M1370TB-GE1采用54引脚TSOP封装，工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），支持3.3V电源供电，适合在苛刻环境中使用。

参数

容量：1Mbit（128K x 8）
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：10ns
　　封装类型：TSOP，54引脚
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　数据宽度：8位
　　输入/输出电平：CMOS兼容
　　最大工作频率：100MHz

特性

MB87M1370TB-GE1具有多项显著的性能特点，首先，其高速访问时间为10ns，能够满足高速数据交换的需求，适用于需要快速响应的系统应用。其次，该芯片采用了先进的CMOS工艺制造，不仅提高了集成度，还有效降低了功耗，使其在长时间运行的系统中依然能够保持稳定的性能表现。
　　该芯片的低功耗设计使其在待机模式下的电流消耗极低，非常适合对能耗敏感的应用场景。此外，MB87M1370TB-GE1具有良好的抗干扰能力和稳定性，能够在各种工业环境下可靠运行。其支持的宽温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于户外设备、车载系统等复杂环境。
　　在封装方面，MB87M1370TB-GE1采用54引脚TSOP封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。该封装形式也有助于提高散热性能，确保芯片在高负载下仍能保持良好的稳定性。

应用

MB87M1370TB-GE1广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的场景。例如，在工业控制系统中，该芯片可作为微控制器或FPGA的高速缓存存储器，用于临时存储程序代码或数据缓冲。在通信设备中，MB87M1370TB-GE1可用于交换机、路由器等设备的高速缓存，提升数据处理效率。
　　此外，该芯片还适用于嵌入式系统，如智能仪表、测试测量设备、医疗设备等，用于存储运行时的临时数据或配置信息。在车载电子系统中，该芯片可用于车载信息娱乐系统或控制模块，提供快速可靠的数据存储支持。
　　由于其工业级温度范围和高可靠性，MB87M1370TB-GE1也适用于户外设备、安防监控系统以及自动化生产线中的控制单元。