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PQ1CZ1H 发布时间 时间:2025/8/28 1:23:05 查看 阅读:14

PQ1CZ1H 是一款由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件设计用于处理中高功率水平,具有低导通电阻和良好的热性能,适用于各类工业设备、电源适配器、DC-DC 转换器以及负载开关电路。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压 Vds:20 V
  栅源电压 Vgs:±12 V
  连续漏极电流 Id:100 mA(最大值)
  导通电阻 Rds(on):1.8 Ω @ Vgs = 4.5 V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-723

特性

PQ1CZ1H MOSFET 采用先进的硅栅工艺制造,具有优异的导通性能和快速开关特性。其低导通电阻 Rds(on) 有助于减少功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具有良好的热稳定性和过温保护能力,可在高负载条件下保持稳定运行。
  该 MOSFET 的 SOT-723 封装形式非常紧凑,适合在空间受限的应用中使用,同时具备良好的散热性能。PQ1CZ1H 还具有低栅极电荷(Qg)特性,有助于实现更快的开关速度,降低开关损耗,适用于高频开关应用。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,可在 2.5V 至 5V 之间工作,兼容多种控制器和驱动器电路。其内部结构优化,具有较高的短路耐受能力,确保在异常工况下的可靠性。

应用

PQ1CZ1H 主要应用于便携式电子产品、电源管理模块、DC-DC 转换器、LED 驱动器、电池充电器以及各种低功率负载开关电路中。此外,它也常用于工业控制设备、传感器接口电路和智能电表等场景,作为功率开关元件使用。

替代型号

PQ1CZ1H 可以被以下型号替代:PQ1CZ1HS、PQ1CZ1HV、2N7002、2N3904(需根据具体电路设计进行评估)

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