PQ1CZ1H 时间：2025/8/28 1:23:05 阅读：32

PQ1CZ1H 是一款由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件设计用于处理中高功率水平，具有低导通电阻和良好的热性能，适用于各类工业设备、电源适配器、DC-DC 转换器以及负载开关电路。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：20 V
　　栅源电压 Vgs：±12 V
　　连续漏极电流 Id：100 mA（最大值）
　　导通电阻 Rds(on)：1.8 Ω @ Vgs = 4.5 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-723

特性

PQ1CZ1H MOSFET 采用先进的硅栅工艺制造，具有优异的导通性能和快速开关特性。其低导通电阻 Rds(on) 有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和过温保护能力，可在高负载条件下保持稳定运行。
　　该 MOSFET 的 SOT-723 封装形式非常紧凑，适合在空间受限的应用中使用，同时具备良好的散热性能。PQ1CZ1H 还具有低栅极电荷（Qg）特性，有助于实现更快的开关速度，降低开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 2.5V 至 5V 之间工作，兼容多种控制器和驱动器电路。其内部结构优化，具有较高的短路耐受能力，确保在异常工况下的可靠性。