时间：2025/8/28 2:34:25
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PQ1CN31H2ZPH 是一款由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效能和低导通电阻的电源管理应用。该器件采用小型SOP（表面贴装）封装，具备良好的热性能和高可靠性。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：55mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOP-8
PQ1CN31H2ZPH 具备低导通电阻特性，有助于降低导通损耗并提高能效。
该MOSFET的封装设计优化了热管理性能，适合高密度PCB布局。
其高栅极电压耐受性（±20V）确保了在各种开关条件下工作的稳定性。
此外，该器件具有快速开关能力，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。
材料符合RoHS标准，无卤素，适用于环保电子设备设计。
PQ1CN31H2ZPH 常用于电源管理领域，如同步整流、电池供电系统和DC-DC转换器。
它也适用于负载开关和电机驱动器，提供高效能和高可靠性。
在汽车电子系统中，例如车载充电器和LED驱动器，该MOSFET同样表现出色。
由于其小型封装和高性能，PQ1CN31H2ZPH 也适用于便携式设备和工业自动化设备中的功率控制。
RQ1CN31H2ZPH, SiSS62DN, FDS6675
