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PQ1CG21H2FZH 发布时间 时间:2025/8/28 8:56:22 查看 阅读:8

PQ1CG21H2FZH 是一款由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)制造的N沟道功率MOSFET,主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等高效率功率应用。该器件采用小型SOP(Small Outline Package)封装,具有低导通电阻、高耐压、高电流能力等特点,适用于便携式设备、服务器电源、工业设备等多种应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):6A
  导通电阻(RDS(on)):最大21mΩ(在VGS=4.5V时)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:SOP-8
  功率耗散(PD):2.5W

特性

PQ1CG21H2FZH的主要特性包括低导通电阻(RDS(on)),这有助于降低功率损耗并提高整体效率。其20V的漏源电压额定值使其适用于多种中低压功率转换应用。该MOSFET采用SOP-8封装,体积小巧,适合高密度PCB布局。
  该器件的栅极驱动电压范围为±12V,通常在4.5V至10V之间工作,具有良好的导通性能。其最大连续漏极电流为6A,能够在高负载条件下稳定运行,适合用于负载开关、电源管理及电机控制等场景。
  PQ1CG21H2FZH具有良好的热稳定性,其工作温度范围从-55°C到+150°C,适应各种恶劣的工作环境。此外,该MOSFET的封装设计有助于提高散热性能,从而延长使用寿命并提高系统可靠性。
  由于其优异的电气特性和封装设计,PQ1CG21H2FZH适用于电池供电设备、DC-DC转换器、同步整流电路、电源管理系统等应用。其低RDS(on)和高电流能力使其成为高效率开关应用的理想选择。

应用

PQ1CG21H2FZH广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  ? DC-DC转换器与同步整流器
  ? 电池供电设备的电源管理系统
  ? 服务器与通信设备的电源模块
  ? 工业控制设备中的负载开关与电机驱动
  ? 便携式电子产品中的功率开关与电源分配

替代型号

Si2302DS、FDN340P、IRLML2402、PQ1CG21AH2FZ

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PQ1CG21H2FZH参数

  • 数据列表PQ1CG21H2FZ/RZ
  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器
  • 系列-
  • 类型降压(降压),反相
  • 输出类型可调式
  • 输出数1
  • 输出电压1.26 V ~ 35 V,-1.26 V ~ -30 V
  • 输入电压8 V ~ 35 V
  • PWM 型-
  • 频率 - 开关100kHz
  • 电流 - 输出1.5A
  • 同步整流器
  • 工作温度-20°C ~ 80°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-5 成形引线
  • 包装管件
  • 供应商设备封装TO-220-5
  • 其它名称425-2295-5