PQ1CG21H2FZH 是一款由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)制造的N沟道功率MOSFET,主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等高效率功率应用。该器件采用小型SOP(Small Outline Package)封装,具有低导通电阻、高耐压、高电流能力等特点,适用于便携式设备、服务器电源、工业设备等多种应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):6A
导通电阻(RDS(on)):最大21mΩ(在VGS=4.5V时)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:SOP-8
功率耗散(PD):2.5W
PQ1CG21H2FZH的主要特性包括低导通电阻(RDS(on)),这有助于降低功率损耗并提高整体效率。其20V的漏源电压额定值使其适用于多种中低压功率转换应用。该MOSFET采用SOP-8封装,体积小巧,适合高密度PCB布局。
该器件的栅极驱动电压范围为±12V,通常在4.5V至10V之间工作,具有良好的导通性能。其最大连续漏极电流为6A,能够在高负载条件下稳定运行,适合用于负载开关、电源管理及电机控制等场景。
PQ1CG21H2FZH具有良好的热稳定性,其工作温度范围从-55°C到+150°C,适应各种恶劣的工作环境。此外,该MOSFET的封装设计有助于提高散热性能,从而延长使用寿命并提高系统可靠性。
由于其优异的电气特性和封装设计,PQ1CG21H2FZH适用于电池供电设备、DC-DC转换器、同步整流电路、电源管理系统等应用。其低RDS(on)和高电流能力使其成为高效率开关应用的理想选择。
PQ1CG21H2FZH广泛应用于多个领域,包括但不限于:
? DC-DC转换器与同步整流器
? 电池供电设备的电源管理系统
? 服务器与通信设备的电源模块
? 工业控制设备中的负载开关与电机驱动
? 便携式电子产品中的功率开关与电源分配
Si2302DS、FDN340P、IRLML2402、PQ1CG21AH2FZ