时间：2025/8/28 8:56:22
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PQ1CG21H2FZH 是一款由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等高效率功率应用。该器件采用小型SOP（Small Outline Package）封装，具有低导通电阻、高耐压、高电流能力等特点，适用于便携式设备、服务器电源、工业设备等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：6A
导通电阻（RDS(on)）：最大21mΩ（在VGS=4.5V时）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOP-8
功率耗散（PD）：2.5W
PQ1CG21H2FZH的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低功率损耗并提高整体效率。其20V的漏源电压额定值使其适用于多种中低压功率转换应用。该MOSFET采用SOP-8封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。
该器件的栅极驱动电压范围为±12V，通常在4.5V至10V之间工作，具有良好的导通性能。其最大连续漏极电流为6A，能够在高负载条件下稳定运行，适合用于负载开关、电源管理及电机控制等场景。
PQ1CG21H2FZH具有良好的热稳定性，其工作温度范围从-55°C到+150°C，适应各种恶劣的工作环境。此外，该MOSFET的封装设计有助于提高散热性能，从而延长使用寿命并提高系统可靠性。
由于其优异的电气特性和封装设计，PQ1CG21H2FZH适用于电池供电设备、DC-DC转换器、同步整流电路、电源管理系统等应用。其低RDS(on)和高电流能力使其成为高效率开关应用的理想选择。
PQ1CG21H2FZH广泛应用于多个领域，包括但不限于：
? DC-DC转换器与同步整流器
? 电池供电设备的电源管理系统
? 服务器与通信设备的电源模块
? 工业控制设备中的负载开关与电机驱动
? 便携式电子产品中的功率开关与电源分配
Si2302DS、FDN340P、IRLML2402、PQ1CG21AH2FZ
