类型：齐纳二极管
　　齐纳电压：4.7V
　　额定功率：0.5W
　　最大耗散功率：0.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C（具体值视制造商而定）
　　封装形式：DO-41、DO-35 或其他常见轴向封装

1/2W4.7V齐纳二极管的核心特性在于其稳定的反向击穿电压，即使在一定的电流变化范围内，其电压变化也非常小。这使其成为理想的电压参考元件。该器件的齐纳电压在制造过程中经过精密控制，确保其在额定误差范围内（通常为±5%或±1%）。
　　此外，该齐纳二极管具备良好的温度稳定性和长期稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其额定功率为0.5W，意味着在适当的散热条件下，它可以承受一定范围内的反向电流而不发生热损坏。由于其结构简单、成本低廉，1/2W4.7V在模拟电路和数字电路的稳压部分中广泛应用。
　　该器件的电气特性通常包括：最小齐纳电压（VZmin）、最大齐纳电压（VZmax）、测试电流（IZT）、动态阻抗（ZZ）等。动态阻抗越低，齐纳二极管在负载变化时的电压调节能力越强。

1/2W4.7V齐纳二极管广泛应用于需要稳定电压的各种电子电路中。例如，在电源电路中作为参考电压源，为运算放大器、比较器或其他模拟电路提供稳定的偏置电压；在稳压电路中与晶体管配合使用，构建简单的串联稳压器；在过压保护电路中作为钳位元件，防止高电压对后续电路造成损害。
　　此外，该器件也可用于信号调理电路中，作为限幅或削波元件，确保输入信号在安全范围内。由于其良好的温度稳定性，1/2W4.7V也常用于精度要求较高的测量仪器和传感器电路中。在嵌入式系统、消费类电子产品、工业控制设备以及汽车电子系统中，这类齐纳二极管都有广泛的应用。

BZX79-C4.7、1N4732A、MMBZ5226BLT1G、1SMA5918BT3G、1N5230B-T