PQ1CG203 时间：2025/7/22 10:05:32 阅读：13

PQ1CG203 是由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET。这款器件专为高效率、高频率开关应用设计，广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理系统等领域。该 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)）特性，可有效降低导通损耗，提升整体系统效率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：20 V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±12 V
　　最大漏极电流 (Id)：4.0 A (连续)
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 32 mΩ @ Vgs = 4.5 V
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 46 mΩ @ Vgs = 2.5 V
　　功率耗散 (Pd)：2.0 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TSMT4（小型表面贴装封装）

特性

PQ1CG203 具备一系列优异的电气和热性能，适用于高性能电源管理设计。其主要特性包括低导通电阻，能够在高频开关条件下显著降低导通损耗，从而提升系统效率。该器件支持较低的栅极驱动电压（如 2.5 V 和 4.5 V），便于与现代低电压控制器配合使用，满足便携式设备和低功耗系统的设计需求。
　　此外，PQ1CG203 采用了先进的沟槽式 MOSFET 工艺，提供更高的电流密度和更优的热稳定性。其 TSMT4 封装形式具有良好的散热性能，同时节省 PCB 空间，适用于高密度电路设计。该器件内置的 ESD 保护功能增强了其在复杂电磁环境下的可靠性。
　　在热性能方面，PQ1CG203 的热阻（Rth）较低，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。其最大漏极电流可达 4A，且在不同温度下具有良好的电流稳定性，适合用于负载开关、DC-DC 转换器以及同步整流等应用场景。

应用

PQ1CG203 主要应用于各类高效能电源管理系统，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源控制模块，以及工业自动化设备中的低电压电源转换电路。其低导通电阻和小型封装设计也使其非常适合用于需要高效率和空间受限的场合。