型号：SA9504BE
　　制造商：NXP Semiconductors
　　工作频率范围：700 MHz 至 1000 MHz
　　小信号增益：典型值34 dB
　　输出P1dB（压缩点）：典型值+30.5 dBm
　　输入三阶交调截点（IIP3）：典型值+15 dBm
　　输出三阶交调截点（OIP3）：典型值+49 dBm
　　电源电压：+28 V
　　静态电流（Idq）：典型值160 mA
　　封装类型：HVQFN-24（带裸焊盘）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　集成技术：SiGe:C 工艺
　　输入/输出阻抗：50 Ω（标称）
　　集成功能：输入匹配、级间匹配、输出匹配、偏置电路、保护电路

SA9504BE具备卓越的宽带放大能力，可在700 MHz至1000 MHz的宽频率范围内实现稳定的高增益表现，典型小信号增益达到34 dB，使其适用于多频段基站前端设计。该器件采用SiGe:C异质结双极晶体管（HBT）工艺，不仅提高了高频性能，还显著增强了器件的可靠性和热稳定性。其高输出功率能力（P1dB达30.5 dBm）足以驱动后续功率级或直接用于中等功率发射链路，满足多载波GSM、WCDMA和OFDM信号的线性放大需求。在非连续发射（如TDD模式）或动态负载条件下，SA9504BE展现出优异的瞬态响应特性和失真抑制能力，有助于降低邻道泄漏比（ACLR），从而提高系统的频谱纯度。
　　该芯片内部集成了完整的输入、级间和输出匹配网络，极大减少了外部元件数量，降低了PCB布局复杂度，并提升了整体系统的一致性与可制造性。此外，其片上集成了精密的偏置控制电路，支持通过外部模拟电压精确调节偏置电流，实现对功放工作点的灵活调整，进而优化能效与线性度的权衡。这种可调偏置机制特别适合在不同信号调制格式（如QPSK、16QAM、64QAM）下进行动态优化，以适应不断变化的网络负载条件。
　　SA9504BE还配备了多重保护功能，包括过温关断、输出端VSWR异常检测与自动限流机制，能够在天线失配或馈线故障等异常情况下有效防止器件损坏，延长系统寿命。其HVQFN-24封装具有优良的散热性能，配合PCB上的接地焊盘可实现高效的热传导，确保长时间高负荷运行时的温度可控。整体而言，SA9504BE在性能、集成度和可靠性方面达到了通信基础设施领域对中级功率放大器的严苛要求，是构建高效、紧凑型射频发射模块的理想选择。

SA9504BE主要应用于各类蜂窝通信基础设施中的射频功率放大环节，尤其适用于需要宽频带、高线性度和中等输出功率的场景。它广泛部署于4G LTE宏基站和微基站的发射链路中，作为预驱动级或主驱动级放大器使用，能够有效提升信号链的整体增益并改善线性性能。在多频段共用平台设计中，得益于其700–1000 MHz的工作频率范围，SA9504BE可支持Band 12、Band 13、Band 14、Band 17、Band 28等多个低频LTE频段，适用于北美、欧洲及亚洲地区的主流部署需求。
　　此外，该器件也常用于UMTS/FDD系统中，特别是在需要高OIP3（输出三阶截点）以应对多载波合并信号的应用中，表现出色。在分布式天线系统（DAS）和小型蜂窝（Small Cell）解决方案中，SA9504BE凭借其高度集成化设计和较小的物理尺寸，成为实现紧凑型远程射频单元（RRU）或一体化射频拉远模块的理想选择。其低功耗特性也有助于减少系统总能耗，符合绿色通信的发展趋势。
　　除了传统蜂窝网络，SA9504BE还可用于公共安全通信系统（如TETRA、P25）、私有LTE网络以及工业物联网（IIoT）中的专用无线接入点。在这些应用场景中，设备需具备长期稳定运行能力和较强的环境适应性，而SA9504BE的宽温工作范围（-40°C至+85°C）和内置保护机制恰好满足此类需求。随着5G NR低频段（n71、n72等）的逐步扩展，SA9504BE也可作为过渡方案中的关键放大元件，支持现有基础设施向5G兼容架构平滑升级。

MHW9504
　　SST12CP20
　　F2915