类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　漏极电流（Id）：6A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大15mΩ @ Vgs=4.5V；最大20mΩ @ Vgs=2.5V
　　功率耗散（Pd）：2W（表面安装，Ta=25℃）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TSON（4引脚）

PQ15TM1D的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。其Rds(on)在Vgs=4.5V时最大为15mΩ，在Vgs=2.5V时最大为20mΩ，使其适用于低电压驱动电路，尤其是由微控制器或低压逻辑电路直接驱动的应用。
　　该MOSFET的漏极电流能力为6A，能够在较高的负载下稳定工作，同时保持较低的热量产生。此外，其TSON封装设计提供了优异的散热性能，使得在高功率密度设计中能够有效管理热量。
　　该器件的工作温度范围广泛，从-55℃到+150℃，适用于各种工业和汽车环境。其栅极驱动电压范围较宽，允许在多种电源电压下工作，增强了设计的灵活性。
　　PQ15TM1D还具备良好的抗静电能力（ESD保护），提高了器件在生产、组装和实际使用过程中的可靠性。其结构设计和制造工艺确保了在恶劣环境下的长期稳定性和耐用性。

PQ15TM1D广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关；电机驱动和继电器控制电路；电池管理系统，如笔记本电脑、平板电脑和移动设备中的电源控制；工业自动化和控制设备；LED照明驱动电路；以及汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和电动工具等。
　　该器件的高效率、小尺寸和良好的热性能使其成为便携式电子产品和高密度电路板设计的理想选择。在需要高效能和高可靠性的应用中，PQ15TM1D提供了出色的性能表现。

PQ15TM1D的替代型号包括PQ12R0ME、PQ15RM1D、SiS628DY、FDMS7610、AO4406A、NTMFS5C428NWT1G、FDMS8878、Si4812DY、R6004END、IPB013N04NGATMA1等，这些MOSFET在导通电阻、电流能力和封装方面具有相似特性，可作为替代选择，具体取决于应用需求和设计要求。