时间：2025/8/28 6:59:25
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PQ15TM1B 是一款由 Rohm（罗姆）公司制造的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高功率处理能力。PQ15TM1B 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池供电设备等应用。该 MOSFET 采用小型表面贴装封装（如 TSMN 封装），适合高密度 PCB 设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：15 A
最大漏源电压：20 V
最大栅源电压：±12 V
导通电阻（Rds(on)）：10 mΩ（典型值）
栅极电荷：18 nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSMN（表面贴装）
PQ15TM1B MOSFET 具备多项优良特性，适用于高效率和高功率密度的电源系统。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，从而实现高频开关操作。
此外，PQ15TM1B 采用先进的沟槽式 MOSFET 工艺，提供了卓越的热性能和电流处理能力。其小型 TSMN 封装设计有利于节省 PCB 空间，适合紧凑型电子产品设计。该 MOSFET 的最大漏极电流为 15 A，最大漏源电压为 20 V，适合用于低压大电流电源转换应用，如同步整流、DC-DC 转换器和电池管理系统。
PQ15TM1B MOSFET 主要应用于电源管理领域，如同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池供电设备以及高效率电源模块。该器件也常用于工业自动化设备、消费类电子产品和通信设备中的功率控制电路。
SiSS15DN,R6004END,R6014END
