时间：2025/8/28 4:12:20
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PQ15RW08是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能功率转换应用设计。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于DC-DC转换器、电源管理和电池充电系统等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（典型值）
封装类型：PowerQFN（5mm x 6mm）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
PQ15RW08采用了罗姆先进的功率MOSFET制造技术，具备非常低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其导通电阻在典型工作条件下仅为8mΩ，显著减少了导通状态下的功率耗散。
该器件采用PowerQFN封装，尺寸为5mm x 6mm，体积小巧，适用于空间受限的应用。这种封装形式还具备良好的热性能，有助于快速散热，确保在高电流条件下稳定工作。
PQ15RW08的最大漏极电流为15A，能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度的电源设计。其最大漏源电压为30V，栅源电压为20V，使其在多种电源管理场合中具有较高的可靠性和稳定性。
此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够在高频条件下高效运行，减少开关损耗，适用于开关电源（SMPS）、同步整流器以及负载开关等高频应用场景。
PQ15RW08还具备良好的热稳定性和过载保护能力，在高温度环境下仍能保持稳定工作，延长设备的使用寿命。
PQ15RW08广泛应用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、负载开关以及电机驱动电路等。其高电流能力和低导通电阻特性也使其非常适合用于服务器、笔记本电脑、工业控制系统和通信设备中的电源模块设计。
SiSS158DN, TPC8104, AO4406A
