时间：2025/8/6 10:45:48
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IXTQ48N20T 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频开关应用。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热性能，适用于电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器和其他功率电子设备。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
漏极电流（Id）@25°C：48A
导通电阻（Rds(on)）：最大 48mΩ
栅极电荷（Qg）：150nC（典型值）
功率耗散（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXTQ48N20T 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力使其适用于高电压应用，例如工业电源和电机驱动系统。
此外，该 MOSFET 具有高电流承载能力和良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行。其 TO-247 封装设计有助于提高散热效率，并便于安装在散热片上。
该器件的栅极电荷较低，有助于实现快速开关，从而降低开关损耗。这对于高频开关应用尤为重要，例如在开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中。
IXTQ48N20T 还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性。这种特性使其适用于需要承受高电压尖峰和电流冲击的场合。
IXTQ48N20T 常用于多种高功率电子设备和系统中。其中，主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电机控制、逆变器、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。
在开关电源中，该 MOSFET 可用于主开关或同步整流器，以提高转换效率并减少热量产生。在电机控制应用中，它可作为 H 桥电路的一部分，实现对电机速度和方向的精确控制。
由于其高耐压和高电流能力，该器件也常用于逆变器系统，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统，以实现高效的能量转换。
此外，IXTQ48N20T 还适用于需要高可靠性和稳定性的工业控制设备，例如工业机器人和自动化生产线中的电源模块。
IXFH48N20T、IXFN48N20T、IRFP4868PBF、STP48N20
