时间：2025/5/8 15:29:35
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PNM723T201E0 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率晶体管，专为高频开关应用而设计。该器件采用增强型 GaN FET 技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高电源转换效率并减小系统尺寸。
这款晶体管适用于高频率 DC-DC 转换器、无线充电设备以及各种工业应用中的功率转换场景。
型号：PNM723T201E0
类型：增强型 GaN HEMT
Vds（漏源电压）：200V
Rds(on)（导通电阻）：72mΩ
Id（连续漏极电流）：15A
Qg（总栅极电荷）：38nC
Coss（输出电容）：490pF
封装形式：TO-263 (D2PAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PNM723T201E0 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（200V），使其能够在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻（72mΩ），有助于减少传导损耗，提高整体效率。
3. 快速开关速度和低栅极电荷（38nC），可实现高频操作，降低开关损耗。
4. 优化的热性能和紧凑的封装设计，使器件在高功率密度应用中表现出色。
5. 支持高可靠性应用，具备优异的抗电磁干扰能力。
6. 兼容标准 MOSFET 驱动电路，简化了设计流程。
PNM723T201E0 广泛应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器，用于服务器电源、通信电源等场合。
2. 无线充电模块，支持更高效率的能量传输。
3. 开关电源适配器，提供更小体积、更高效率的设计方案。
4. 工业电机驱动器和逆变器，满足高性能电力电子需求。
5. 太阳能微型逆变器和储能系统，提升能量转换效率。
6. 汽车电子系统中的 DC-DC 转换与辅助功率管理模块。
PNM723T201D0
PTM723T201E0
