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SLF18N50S 发布时间 时间:2025/7/12 6:03:11 查看 阅读:12

SLF18N50S是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压、高效率的开关应用。该器件采用先进的硅工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,广泛用于各种电源管理场景,例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。其耐压能力高达500V,能够承受较高的漏源电压,同时保持较低的导通损耗。
  该型号优化了动态性能和静态性能之间的平衡,适合要求高可靠性和高效能的应用环境。

参数

最大漏源电压:500V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻(典型值):2.6Ω
  总功耗:43W
  结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

SLF18N50S具有以下主要特点:
  1. 高击穿电压(500V),适用于高压工作环境。
  2. 低导通电阻(2.6Ω典型值),减少传导损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关速度,支持高频应用,降低开关损耗。
  4. 内置反向恢复二极管,改善电路性能并简化设计。
  5. 较高的雪崩击穿能量,提升器件在异常情况下的可靠性。
  6. 工作温度范围宽广,能够在极端条件下稳定运行。

应用

这款MOSFET广泛应用于需要高压切换和高效能管理的场合,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 荧光灯镇流器及电子变压器中的驱动元件。
  4. 各种工业控制设备中的负载切换。
  5. 电机驱动和逆变器应用。
  6. 过流保护电路以及高压脉冲发生器等。

替代型号

IRF540N, STP18NF50, FQP18N50C

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