SLF18N50S是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压、高效率的开关应用。该器件采用先进的硅工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,广泛用于各种电源管理场景,例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。其耐压能力高达500V,能够承受较高的漏源电压,同时保持较低的导通损耗。
该型号优化了动态性能和静态性能之间的平衡,适合要求高可靠性和高效能的应用环境。
最大漏源电压:500V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:1.8A
导通电阻(典型值):2.6Ω
总功耗:43W
结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
SLF18N50S具有以下主要特点:
1. 高击穿电压(500V),适用于高压工作环境。
2. 低导通电阻(2.6Ω典型值),减少传导损耗,提高系统效率。
3. 快速开关速度,支持高频应用,降低开关损耗。
4. 内置反向恢复二极管,改善电路性能并简化设计。
5. 较高的雪崩击穿能量,提升器件在异常情况下的可靠性。
6. 工作温度范围宽广,能够在极端条件下稳定运行。
这款MOSFET广泛应用于需要高压切换和高效能管理的场合,具体包括:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 荧光灯镇流器及电子变压器中的驱动元件。
4. 各种工业控制设备中的负载切换。
5. 电机驱动和逆变器应用。
6. 过流保护电路以及高压脉冲发生器等。
IRF540N, STP18NF50, FQP18N50C