时间：2025/9/14 2:16:18
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PNE200100CPEZ是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率和高频应用设计，适用于工业控制、电源管理、电动工具、电机驱动以及汽车电子系统等多种应用场景。PNE200100CPEZ采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供优异的导通性能和开关特性，能够在高温和高负载条件下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：200A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：10mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：200nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6
最大功耗（Ptot）：300W
短路耐受能力：有
雪崩能量（EAS）：1.2J
输入电容（Ciss）：4000pF（典型值）
PNE200100CPEZ具有多项优异的电气和热性能，能够满足高要求的工业和汽车应用需求。其导通电阻低至10mΩ，可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极电荷为200nC，确保快速开关操作，从而减少开关损耗，提高整体能效。
该MOSFET具备良好的热稳定性，采用PowerFLAT 5x6封装，具有优异的散热性能，能够在高功率密度环境中可靠运行。此外，PNE200100CPEZ具有良好的短路耐受能力，可在异常工作条件下提供更高的安全性和可靠性。
该器件的雪崩能量为1.2J，表明其具备较强的抗过载和抗冲击能力，适合在高应力环境下使用。输入电容为4000pF，确保器件在高频应用中仍能保持良好的响应特性。PNE200100CPEZ还支持宽温度范围（-55°C 至 175°C），适用于极端环境条件下的应用。
PNE200100CPEZ广泛应用于需要高电流、低导通损耗和高效能的功率电子系统中。典型应用包括电动工具、电机驱动、逆变器、DC-DC转换器、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）、电动车（EV）充电系统以及汽车电子控制单元（ECU）。
由于其优异的导通性能和高可靠性，该MOSFET适用于高性能电源转换系统，如服务器电源、UPS（不间断电源）和太阳能逆变器。此外，在汽车应用中，它可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等关键模块。
STL200N10F7AG STW200N10F7AG STP200N10F7AG
