时间：2025/5/12 12:28:21
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PN650EV1 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的增强型功率晶体管，具有高开关速度和低导通电阻的特点。这种器件适合高频、高效的应用场景，例如电源适配器、充电器以及DC-DC转换器。
3010BC726L 是一款双向TVS（瞬态电压抑制）二极管阵列，主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态电压事件的影响。
型号：PN650EV1
类型：GaN FET
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：8A
导通电阻：120mΩ
型号：3010BC726L
类型：TVS二极管阵列
工作电压：±26V
峰值脉冲电流：10A
箝位电压：±39.1V
PN650EV1 提供了卓越的效率和功率密度，其低导通电阻和高速开关能力使其非常适合高频应用。该器件采用DFN8*8封装，有助于减少寄生效应并提高散热性能。
3010BC726L 具备快速响应时间和低箝位电压，能够有效地保护敏感电路免受瞬态过压损害。其小型化的SOT-23封装便于在空间受限的设计中使用。
PN650EV1 广泛应用于快充适配器、无线充电器、服务器电源、光伏逆变器和电机驱动等领域。
3010BC726L 常用于消费类电子产品、工业控制设备和通信接口的ESD保护，例如USB端口、HDMI接口和RS-232通信线路。
PN650EV1 替代型号：EPC2020
3010BC726L 替代型号：PESD5V0H1BA
