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PN4119 发布时间 时间:2023/11/16 17:59:24 查看 阅读:80

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:JFET(结点场效应
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):200μA @ 10V
漏极至源极电压(Vdss):-
漏极电流 (Id) - 最大:-
FET 型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40V
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:2V @ 1nA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :3pF @ 10V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:通孔
包装:散装
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
功率 - 最大:350mW

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PN4119参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)200µA @ 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)-
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)40V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id2V @ 1nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3pF @ 10V
  • 电阻 - RDS(开)-
  • 安装类型通孔
  • 包装散装
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 功率 - 最大350mW