型号：IRKD91-16
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道功率MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：9.1 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：36 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.72 Ω @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.88 Ω @ VGS = 5 V
　　栅极电荷（Qg）：42 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：1040 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：96 ns
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　封装类型：TO-220AB
　　安装方式：通孔

IRKD91-16具备多项优异的电气与热力学特性，使其在众多功率开关应用中脱颖而出。首先，其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率，尤其是在大电流工作条件下优势明显。这使得电源系统可以在更高负载下持续运行而不过热。其次，该器件拥有快速的开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），可在高频开关操作中减少驱动损耗并提升转换效率。这对于现代高频率开关电源设计至关重要。
　　另一个关键特性是其卓越的热稳定性与长期可靠性。TO-220AB封装提供了良好的热传导路径，使芯片产生的热量能够迅速传递至外部散热器，避免局部过热导致的性能下降或器件失效。同时，器件的最大工作结温可达150°C，支持在严苛环境温度下稳定运行。此外，IRKD91-16具备较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压事件中吸收能量而不损坏，增强了系统鲁棒性。
　　该MOSFET还表现出优秀的dv/dt和di/dt抗扰度，有助于防止误触发和电磁干扰问题，提升系统EMI兼容性。其栅源电压范围宽达±30V，允许在一定波动范围内正常工作，提高了对驱动电路的要求宽容度。内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=96ns），可在续流过程中减少反向恢复电荷，降低开关尖峰电压，进一步提升系统安全性与效率。综合来看，这些特性使IRKD91-16成为工业电源、消费电子电源适配器、LED驱动电源及家电控制模块中的优选器件。

IRKD91-16广泛应用于各类需要高效、高耐压开关功能的电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、PC电源、服务器电源等，在这些系统中作为主开关管使用于反激或正激拓扑中，实现高效的能量转换。此外，它也常见于UPS不间断电源系统中，用于直流到交流的逆变环节，提供稳定的输出电压。
　　在照明领域，特别是电子镇流器和高强度气体放电灯（HID）驱动电路中，IRKD91-16凭借其高耐压和良好开关特性，可实现灯管的稳定启动与持续运行。同时，该器件也被用于感应加热设备，如电磁炉、工业加热装置中，作为谐振变换器中的开关元件，配合LC谐振网络产生高频交变磁场。
　　在工业自动化控制系统中，IRKD91-16可用于电机驱动电路，特别是在小功率直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，作为低端或高端开关使用。此外，太阳能微型逆变器、电池充电管理系统（BMS）以及其他可再生能源转换设备中也能看到其身影。由于其符合环保标准且具备高可靠性，IRKD91-16同样适用于家用电器，如空调压缩机驱动、洗衣机电机控制板等场合。总之，凡涉及中等功率等级、高电压开关需求的应用，IRKD91-16均是一个值得信赖的选择。

IRFBC20
　　STP9NK50ZFP
　　FDPF50N50