晶体管类型：NPN型双极晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-92
　　增益带宽积（fT）：100 MHz
　　噪声系数（NF）：约1.5 dB（典型值）
　　电流增益（hFE）：在Ic=2 mA时为50~300（根据等级不同）

PN3639具备出色的高频响应能力，使其适用于射频信号处理。其低噪声系数对于提升接收机灵敏度至关重要。
　　此外，该晶体管的电流增益（hFE）具有较宽的范围，可以根据应用需求选择不同等级的产品以满足特定电路设计的要求。
　　其TO-92封装结构紧凑，便于在PCB上安装，同时具备良好的热稳定性和机械强度。
　　由于其工作频率范围宽，PN3639能够用于多种中高频电路设计中，如前置放大器、振荡器和开关电路等。
　　该器件还具有较高的线性度和较低的失真特性，适用于需要高信号保真的场合。

PN3639广泛用于射频通信设备中的低噪声放大器（LNA）设计，尤其在AM/FM收音机、无线接收模块、对讲机以及各种射频前端电路中非常常见。
　　它也常用于构建射频混频器和本地振荡器（LO）电路，作为射频信号转换过程中的关键元件。
　　此外，PN3639还可用于音频放大电路、信号发生器以及需要高频放大的各类电子设备中。
　　由于其优异的低噪声性能和良好的高频响应，PN3639也广泛应用于测试测量设备、业余无线电设备以及消费类电子产品中。

2N3904, BC547, 2N2222, BF199