时间：2025/9/6 20:22:41
阅读：4
PM45100K是一款由STMicroelectronics制造的N沟道功率MOSFET，适用于高电流和高频率的应用场景。该器件采用了先进的平面条状结构，提供较低的导通电阻和较高的效率。PM45100K的封装形式为TO-220，便于散热，适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、电机控制和负载开关。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流(Id)：45A
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：最大20毫欧
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
功率耗散：150W
PM45100K的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的高电流容量和耐压能力使其适用于高功率密度的设计。此外，PM45100K具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
该MOSFET的栅极驱动要求较低，适合与标准逻辑电路配合使用，简化了驱动电路的设计。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。由于采用TO-220封装，PM45100K便于安装在散热器上，以确保在高负载条件下的良好散热。
PM45100K广泛应用于多种电源管理系统，包括DC-DC转换器、电池充电器和电机控制器。在汽车电子系统中，该器件可用于车身控制模块、电动助力转向系统以及车载充电设备。工业自动化设备、不间断电源（UPS）和开关电源（SMPS）也是PM45100K的典型应用场景。
IRF1404, FDP45100K
