时间：2025/9/14 20:57:08
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PMZB290UNE,315是一款由Nexperia（安世半导体）生产的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件设计用于高效率、低电压应用，例如负载开关、DC-DC转换器以及电池供电系统。PMZB290UNE,315采用TSSOP（薄型小尺寸封装）6引脚封装，具有较小的封装尺寸，适用于空间受限的便携式电子设备。该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），在4.5V栅极驱动电压下可提供高效的功率控制。
类型：P沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：-30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-5.7A（在VGS = -4.5V）
导通电阻（RDS(on)）：最大55mΩ（在VGS = -4.5V）
功率耗散：1.4W（在Tamb=25°C）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TSSOP-6
PMZB290UNE,315具备多项优异特性，适用于高性能电源管理系统。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件在4.5V栅极驱动电压下即可完全导通，适用于标准逻辑电平驱动。此外，该MOSFET具有较高的耐压能力，其漏极-源极击穿电压为-30V，能够承受较高的瞬态电压，提高了系统的可靠性。
PMZB290UNE,315的封装尺寸为TSSOP-6，适合高密度PCB布局，并且符合RoHS环保标准。其封装材料具有良好的热传导性能，有助于热量的快速散发，从而提高器件在高负载下的稳定性。该器件还具备较高的ESD（静电放电）耐受能力，能够在恶劣的电气环境中稳定工作。
此外，PMZB290UNE,315具有快速开关特性，能够实现较高的开关频率，适用于开关电源和DC-DC转换器等高频应用。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
PMZB290UNE,315广泛应用于各种便携式电子设备和低电压电源管理系统中。例如，在智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，该器件可作为负载开关或电池充电管理电路的一部分，实现高效的电源控制。此外，PMZB290UNE,315也适用于DC-DC降压/升压转换器、LED驱动电路以及电机控制电路。
由于其具备较高的耐压能力和良好的热性能，该MOSFET也可用于工业自动化设备、汽车电子系统和电源适配器等应用场合。在这些应用中，PMZB290UNE,315能够提供稳定的功率控制，并在高负载条件下保持良好的能效表现。
PMZB290UNE,115; PMZB290UN; PMV390UNE; PMZB300UNE
