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PMZB290UNE,315 发布时间 时间:2025/9/14 20:57:08 查看 阅读:22

PMZB290UNE,315是一款由Nexperia(安世半导体)生产的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件设计用于高效率、低电压应用,例如负载开关、DC-DC转换器以及电池供电系统。PMZB290UNE,315采用TSSOP(薄型小尺寸封装)6引脚封装,具有较小的封装尺寸,适用于空间受限的便携式电子设备。该MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(on)),在4.5V栅极驱动电压下可提供高效的功率控制。

参数

类型:P沟道MOSFET
  漏极-源极电压(VDS):-30V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):-5.7A(在VGS = -4.5V)
  导通电阻(RDS(on)):最大55mΩ(在VGS = -4.5V)
  功率耗散:1.4W(在Tamb=25°C)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TSSOP-6

特性

PMZB290UNE,315具备多项优异特性,适用于高性能电源管理系统。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该器件在4.5V栅极驱动电压下即可完全导通,适用于标准逻辑电平驱动。此外,该MOSFET具有较高的耐压能力,其漏极-源极击穿电压为-30V,能够承受较高的瞬态电压,提高了系统的可靠性。
  PMZB290UNE,315的封装尺寸为TSSOP-6,适合高密度PCB布局,并且符合RoHS环保标准。其封装材料具有良好的热传导性能,有助于热量的快速散发,从而提高器件在高负载下的稳定性。该器件还具备较高的ESD(静电放电)耐受能力,能够在恶劣的电气环境中稳定工作。
  此外,PMZB290UNE,315具有快速开关特性,能够实现较高的开关频率,适用于开关电源和DC-DC转换器等高频应用。其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。

应用

PMZB290UNE,315广泛应用于各种便携式电子设备和低电压电源管理系统中。例如,在智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,该器件可作为负载开关或电池充电管理电路的一部分,实现高效的电源控制。此外,PMZB290UNE,315也适用于DC-DC降压/升压转换器、LED驱动电路以及电机控制电路。
  由于其具备较高的耐压能力和良好的热性能,该MOSFET也可用于工业自动化设备、汽车电子系统和电源适配器等应用场合。在这些应用中,PMZB290UNE,315能够提供稳定的功率控制,并在高负载条件下保持良好的能效表现。

替代型号

PMZB290UNE,115; PMZB290UN; PMV390UNE; PMZB300UNE

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PMZB290UNE,315参数

  • 制造商NXP
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压20 V
  • 闸/源击穿电压+/- 8 V
  • 漏极连续电流1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)380 mOhms
  • 配置Single
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-883B
  • 封装Reel
  • 功率耗散715 mW
  • 工厂包装数量10000