PMZ370UNEYL 是一款由东芝(Toshiba)推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率功率转换和高电流应用设计。该器件采用高性能的U-MOS技术制造,具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器等应用场景。PMZ370UNEYL 采用紧凑的SOP(小外形封装)封装,便于在空间受限的电路中使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(VDSS):30V
最大连续漏极电流(ID):6.5A
导通电阻(RDS(on)):最大值 37mΩ @ VGS = 10V
栅极阈值电压(VGS(th)):1.0V ~ 2.5V
最大功率耗散(PD):2.5W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:SOP-8
PMZ370UNEYL 具备多项优异特性,首先,其低导通电阻(RDS(on))确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提高整体能效。其次,该MOSFET采用U-MOS工艺,提供出色的开关性能,有助于降低开关损耗,适用于高频开关应用。此外,其栅极阈值电压范围适中,兼容常见的驱动电路,便于集成至多种功率系统中。PMZ370UNEYL 的SOP-8封装不仅节省空间,还具备良好的热性能,有助于提高系统的稳定性和可靠性。该器件还具备较强的耐久性和抗热阻能力,能够在高温环境下稳定运行。
在保护性能方面,PMZ370UNEYL 具备较高的热稳定性与过载能力,能够在短时间过载或瞬态条件下保持正常工作。其设计符合RoHS环保标准,适用于各类工业、消费电子及车载电子设备。综合来看,PMZ370UNEYL 是一款性能稳定、可靠性高、适合多种高效率功率应用的MOSFET器件。
PMZ370UNEYL 主要应用于需要高效功率控制的电子系统中,包括但不限于:DC-DC降压/升压转换器、负载开关电路、电源管理系统、LED驱动电路、电池供电设备、电机驱动器、功率放大器以及各类工业控制设备。其紧凑的封装形式也使其适用于对空间要求较高的便携式电子产品和车载电子系统。
Si2302DS, AO3400A, FDS6680, IPD9N03C3