时间：2025/9/15 0:33:29
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PMZ130UNE是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管，专为高效率、高频应用设计。该器件采用先进的沟槽式工艺，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及其他高功率电子系统。PMZ130UNE属于N沟道增强型MOSFET，其封装形式为SOP（小型封装），适合在空间受限的电路中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：130A
导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOP（表面贴装）
功率耗散(PD)：150W
PMZ130UNE采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件支持高达130A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。其高栅极电压容限（±20V）增强了在高压瞬态环境中的稳定性与可靠性。
此外，PMZ130UNE具备快速开关能力，适用于高频操作，有助于减小外部无源元件的尺寸，如电感和电容，从而实现更紧凑的电源设计。其SOP封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和散热管理。
该MOSFET具有良好的热稳定性，内部结构优化以提高热传导效率，确保在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。这使其非常适合用于需要长时间运行的工业控制、汽车电子、服务器电源及电池管理系统等领域。
PMZ130UNE广泛应用于各类高功率电子设备中，包括但不限于：高性能DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、工业自动化控制系统以及汽车电子系统（如车载充电器和DC-AC逆变器）。
由于其优异的导通特性和高频响应能力，该器件特别适合用于要求高效率和紧凑设计的电源模块。在电动汽车和可再生能源系统中，PMZ130UNE也常被用于功率转换和能量管理电路中。
TPH3R30ANL, SiR178DP, IPB013N04NG
