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US6M2TR 发布时间 时间:2025/5/15 15:22:24 查看 阅读:1

US6M2TR 是一款高性能的双通道 MOSFET 驱动器,广泛应用于电机驱动、电源转换和负载开关等领域。该器件采用小型封装设计,具有高驱动能力和低功耗特性,能够显著提升系统效率和可靠性。
  US6M2TR 支持独立控制两个输出通道,适用于需要分别驱动高低侧 MOSFET 的应用场景。其内部集成了电平转换电路,可确保输入信号与功率 MOSFET 栅极电压的匹配。

参数

供电电压:4.5V 至 18V
  最大输出电流:±1.5A
  输入兼容电压:1.8V 至 5V
  传播延迟:典型值 20ns
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:SOIC-8

特性

US6M2TR 具有以下主要特性:
  1. 双通道独立驱动,支持高低侧配置。
  2. 内置电平转换功能,简化外部电路设计。
  3. 快速开关性能,降低开关损耗。
  4. 宽供电电压范围,适应多种应用需求。
  5. 小型化封装,节省 PCB 空间。
  6. 提供短路保护和热关断功能,增强系统可靠性。

应用

US6M2TR 广泛应用于以下领域:
  1. 直流无刷电机驱动。
  2. 开关电源和 DC-DC 转换器。
  3. LED 驱动和背光控制。
  4. 智能家居设备中的负载开关。
  5. 工业自动化控制中的功率级驱动。
  6. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。

替代型号

US6M2T, US6M2R, AP22812

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US6M2TR参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V,20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A,1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C240 毫欧 @ 1.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds80pF @ 10V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装TUMT6
  • 包装带卷 (TR)