时间：2025/9/14 19:06:57
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PMXB65UPE 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的技术制造，具有高性能和高可靠性。该器件专为高功率应用设计，适用于电源管理、电机控制、电池充电器、DC-DC转换器等电子系统。PMXB65UPE 属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合在高频率和高效率的开关电路中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏-源电压（VDS）：650V
导通电阻（RDS(on)）：约13mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：约170nC
功率耗散（Ptot）：约300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
栅极电压（VGS）：±20V
PMXB65UPE 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在导通状态下功耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。该器件的高耐压能力达到650V，使其能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的开关应用。
此外，PMXB65UPE 采用了先进的封装技术，具备良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。其高栅极电荷（Qg）值意味着在开关过程中需要较大的驱动电流，但同时也提供了更高的电流承载能力，适用于大功率变换器和电机驱动电路。
该MOSFET还具有优异的短路耐受能力和抗雪崩能力，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。其TO-247封装形式便于安装和散热管理，适合工业级应用。此外，PMXB65UPE 在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，支持高可靠性的电源设计。
PMXB65UPE 主要应用于高功率电子设备中，例如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器和电动汽车充电系统。由于其高耐压、低导通电阻和高电流承载能力，它非常适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。
此外，该MOSFET也可用于DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路以及高功率LED照明系统中。其优异的热管理和开关性能使其在高频率开关应用中表现尤为出色，有助于提高系统效率并减小电源体积。
在电机控制和变频器应用中，PMXB65UPE 可作为主开关元件，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。同时，它也适用于各类高功率消费电子产品和工业自动化设备中的电源管理模块。
STF65N65M2, STD65N65M2, IPW65R017CFD7
