PMXB56EN 时间：2025/9/15 0:32:30 阅读：4

PMXB56EN 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高性能的电源管理应用中。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制等场景。

参数

类型: N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）: 60V
　　栅源电压（Vgs）: ±20V
　　连续漏极电流（Id）: 100A
　　导通电阻（Rds(on)）: 3.2mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围: -55°C 至 175°C
　　封装类型: PowerFLAT 5x6
　　安装类型: 表面贴装

特性

PMXB56EN 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件的 Rds(on) 在 Vgs=10V 下仅为 3.2mΩ，这在同类型 MOSFET 中处于领先水平。此外，PMXB56EN 的最大漏极电流可达 100A，使其能够承受较高的负载需求。
　　另一个重要特性是其高耐压能力。PMXB56EN 的漏源电压额定值为 60V，栅源电压范围为 ±20V，使其能够在较高的电压环境下稳定工作，并具有良好的抗过压能力。这种高耐压特性不仅提高了器件的可靠性，还减少了外部保护电路的设计复杂度。
　　PMXB56EN 采用 PowerFLAT 5x6 封装，这种封装形式具有较小的体积和良好的热管理性能，适合在空间受限的应用中使用。其表面贴装的安装方式也便于自动化生产和高密度 PCB 布局，提升了整体设计的灵活性。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，表现出良好的温度适应性和稳定性，适合在极端环境条件下使用，例如工业控制、汽车电子和户外设备等应用场景。

应用

PMXB56EN 主要应用于需要高效率功率转换和管理的电子系统中。例如，在 DC-DC 转换器中，PMXB56EN 的低导通电阻可以有效减少能量损耗，提高转换效率；在负载开关电路中，它能够快速响应控制信号，实现对负载的精确控制；在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制，确保电池的安全运行。
　　此外，PMXB56EN 还广泛应用于电机驱动电路中，用于控制电机的启停和调速，特别是在需要大电流驱动的场合，如电动车、电动工具和工业自动化设备中表现优异。同时，由于其优异的温度特性和耐压能力，PMXB56EN 也常用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和电池管理系统等。
　　在电源管理方面，PMXB56EN 可用于服务器电源、通信设备电源和工业电源模块，提供高效的功率输出和可靠的电路保护功能。其优异的热管理性能和紧凑的封装设计使其成为高密度电源设计的理想选择。