时间：2025/9/14 19:05:22
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PMXB350UPEZ是一款由Vishay Semiconductors制造的功率MOSFET模块，属于SiC（碳化硅）功率器件系列。这款MOSFET模块专为高效率、高频率和高功率密度的应用设计，适用于工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及电机驱动器等场景。PMXB350UPEZ采用了先进的碳化硅技术，具备更低的导通损耗和开关损耗，能够在高温和高电压环境下稳定工作。模块采用了紧凑的封装设计，便于集成到各种电力电子系统中。
类型：碳化硅MOSFET模块
额定电压：1200V
额定电流：350A
导通电阻(RDS(on))：17mΩ（典型值）
封装类型：PMx系列表面贴装封装
工作温度范围：-55°C至+175°C
栅极电压(VGS)范围：-10V至+25V
最大功耗：约500W
短路耐受能力：600A（10μs）
PMXB350UPEZ的主要特性之一是其采用了碳化硅（SiC）半导体技术，使得该器件在高频开关应用中表现出色，显著降低了开关损耗。相比传统的硅基MOSFET或IGBT，SiC技术允许器件在更高的工作温度下运行，从而提高了系统的热稳定性。
其次，该模块的导通电阻非常低，典型值为17mΩ，这意味着在导通状态下，其功率损耗极低，从而提升了整体系统效率。此外，低RDS(on)也减少了热量的产生，降低了散热设计的复杂性。
PMXB350UPEZ还具备优异的短路耐受能力，能够在极端条件下（如短路故障）承受高达600A的电流（持续10μs），从而提高了系统的可靠性。
模块的封装设计采用了Vishay的PMx系列表面贴装封装技术，体积小巧且易于安装，适用于高密度PCB布局。这种封装形式也具备良好的热管理和电气性能，能够有效传导和分散工作时产生的热量。
此外，该模块的栅极电压范围较宽，支持-10V至+25V的操作，使其能够与多种驱动电路兼容，提升了设计的灵活性。
PMXB350UPEZ广泛应用于需要高效率、高功率密度和高频开关的电力电子系统中。例如，在电动汽车充电系统中，该模块可用于AC-DC或DC-DC转换器，提供高效能的电力转换，缩短充电时间并提高能量利用率。
在工业电源领域，该器件可用于不间断电源（UPS）、焊接设备和电镀电源等应用，其高效率和高可靠性使其成为工业自动化和电力控制系统的理想选择。
太阳能逆变器是另一个重要的应用场景。由于PMXB350UPEZ具备低导通损耗和高开关频率能力，使其在光伏逆变系统中能够实现更高的能量转换效率，同时减少系统尺寸和散热需求。
此外，该模块也适用于电机驱动器、电能质量调节设备（如有源滤波器）以及各类高频电源转换器，满足对高性能功率器件日益增长的需求。
CMF350120A、CMF350120D、CMF350120S
