类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：100 A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：9 mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.5 V 至 2.5 V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：SOT404（LFPAK56）

PMV90ENER 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，具有多项优异特性，适用于高功率密度和高效率的电源设计。
　　首先，该器件的导通电阻 Rds(on) 最大值仅为 9 mΩ，在 Vgs=10V 的驱动条件下能够显著降低导通损耗，提高能效。这对于高电流应用尤为重要，有助于减少发热并提升系统整体效率。
　　其次，PMV90ENER 的漏源耐压为 30V，能够满足多种中低压功率转换应用的需求。其栅源电压容限为 ±20V，具有良好的栅极保护能力，防止因过压导致的损坏。
　　该器件的最大连续漏极电流为 100A，在 Tc=25°C 条件下，能够承受高负载电流，适用于大功率负载开关、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。此外，其阈值电压范围为 1.5V 至 2.5V，确保在常见的驱动电压下（如 4.5V 或 10V）能够完全导通，降低开关损耗。
　　PMV90ENER 采用 LFPAK56（SOT404）封装，这是一种双侧散热的无引脚表面贴装封装，具有优异的热性能和机械强度。该封装设计有助于提高散热效率，支持高功率密度设计，同时具备良好的抗振动和可靠性表现，适合工业和汽车应用环境。
　　此外，该 MOSFET 具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下（如短路或过载）提供额外的安全保障。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于各种严苛的工作环境。
　　总体而言，PMV90ENER 是一款适用于高效率电源管理、马达控制、电池管理系统以及工业和汽车电子应用的高性能功率 MOSFET，具有低导通电阻、高电流能力和优异的热管理性能。

PMV90ENER 广泛应用于多个高功率和高效率需求的电子系统中。
　　在电源管理领域，该器件常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等电路中，其低导通电阻和高电流承载能力能够有效降低功率损耗，提高转换效率。
　　在电机控制系统中，PMV90ENER 可用于 H 桥驱动或单向电机控制电路，实现对电机的高效驱动和快速响应。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS），作为充放电控制开关，其高耐压和高电流能力能够保障电池组的安全运行。
　　在工业自动化设备中，PMV90ENER 可用于控制高功率负载，如加热元件、风扇和照明系统等，具备良好的稳定性和可靠性。
　　由于其优异的封装散热性能，PMV90ENER 还广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和电动助力转向系统等，满足汽车环境对高可靠性和宽温度范围的要求。

SiSSPM100L, SQM100N30-07, IPB013N04NG