PMV65XPEA是一款由Nexperia(安世半导体)推出的增强型功率MOSFET器件,采用先进的Trench工艺技术制造,具备高性能和高可靠性。该器件主要用于电源管理和功率转换应用,能够提供高效能和稳定的工作表现。PMV65XPEA采用SOT223封装形式,适用于需要紧凑设计和良好散热性能的电子系统。该MOSFET具备较低的导通电阻、较高的电流承载能力以及良好的热稳定性,使其在各种电源管理场景中表现出色。
类型:增强型MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):2.9A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):最大值160mΩ(在Vgs=10V时)
功率耗散(Pd):1.5W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT223
PMV65XPEA MOSFET采用了先进的Trench工艺技术,这使其在性能和效率方面表现出色。首先,该器件的低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通损耗,从而提高整体系统效率。此外,该MOSFET具有较高的电流承载能力,能够在较高负载条件下稳定工作,适用于多种电源管理任务。
其次,PMV65XPEA具备良好的热稳定性和较高的功率耗散能力(1.5W),这使其在高功率应用中也能保持良好的工作状态。SOT223封装提供了良好的散热性能,同时保持了较小的PCB占用空间,非常适合紧凑型设计。
此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),使其在不同的驱动条件下都能保持稳定工作。这不仅提高了设计的灵活性,还增强了系统的可靠性。PMV65XPEA还具备较低的开关损耗,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。
最后,PMV65XPEA在制造过程中遵循严格的工业标准,确保其具备高可靠性和长寿命,适用于工业、汽车和消费类电子设备中的关键电源管理任务。
PMV65XPEA MOSFET广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路以及各类嵌入式系统。在电源管理应用中,它可用于高效的电压调节和能量转换。在电池供电设备中,如笔记本电脑、平板电脑和移动电源,该器件可用于优化电池的充放电管理。此外,它还可用于工业自动化设备中的电机控制和传感器供电管理,提供稳定和高效的功率控制。由于其紧凑的SOT223封装,PMV65XPEA也适用于空间受限的设计,如智能穿戴设备和小型消费电子产品。
PMV45XPEA, PMV65XPJ, Si2302DS, FDS6675