类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：260A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.6mΩ（典型值）
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

SKN26/02UNF 功率 MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗，提高系统效率。其典型值为 2.6mΩ，使得该器件在大电流应用中表现出色。此外，该器件的漏-源电压额定值为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高功率应用。
　　另一个重要特性是其高电流承载能力，最大连续漏极电流可达 260A，这使得 SKN26/02UNF 非常适合用于需要大电流驱动的场景，如电动工具、电动汽车电池管理系统（BMS）和工业电机控制。
　　该 MOSFET 采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有优良的热管理能力，能够有效散热，从而提高器件的可靠性和使用寿命。该封装形式也便于自动化生产和 PCB 布局。
　　此外，SKN26/02UNF 的栅极驱动电压范围为 ±20V，具有较高的栅极抗干扰能力，能够在高噪声环境中稳定工作。该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，有助于提高系统的鲁棒性和抗故障能力。

SKN26/02UNF 主要应用于各种高功率开关电路中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电动车辆充电系统、逆变器以及工业自动化控制系统等。
　　在开关电源中，SKN26/02UNF 可作为主开关或同步整流器使用，以提高转换效率并减少发热。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高功率密度的电源设计。
　　在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于充放电路径的控制，确保电池组的安全运行。其高耐压和大电流能力也使其适用于多节锂电池组的保护电路。
　　在电机控制领域，SKN26/02UNF 可用于 H 桥驱动电路，提供高效、可靠的电机控制能力。其高热稳定性和封装散热性能也有助于应对频繁的开关操作带来的热应力。

IRF1405, IPW60R022C6, STB260N10F3AG, SKN260/02E