时间：2025/5/19 9:59:21
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PMV60EN 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小尺寸表面贴装封装，适用于多种开关和功率转换应用。其设计目标是提供高效率、低导通电阻以及出色的开关性能。
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：4.1A
导通电阻 Rds(on)：95mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗 Ptot：1.3W
结温范围 Tj：-55°C 至 +150°C
PMV60EN 具有较低的导通电阻 Rds(on)，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
它还具有快速开关速度和低输入电容，非常适合高频开关应用。
器件采用 DPAK (TO-252) 封装，具有良好的散热性能。
内置 ESD 保护功能增强了芯片的可靠性。
该 MOSFET 的漏源击穿电压为 60V，适用于中低压功率电子电路。
PMV60EN 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理、电源管理模块等领域。
由于其低导通电阻特性，也常用于高效能开关电源（SMPS）及便携式设备中的功率控制。
此外，该器件还可作为同步整流器或保护电路中的关键元件使用。
PMV60UN, PMV40UN, BSS138
