PMV56XN 时间：2025/6/12 18:45:09 阅读：10

PMV56XN 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于各种需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件采用先进的制造工艺，能够提供出色的电气性能和可靠性，适用于电源管理、电机驱动以及各类开关应用。
　　其封装形式通常为表面贴装类型，便于在高密度电路板设计中使用。此外，PMV56XN 具有较低的导通电阻和良好的热性能，这使其成为许多高性能电子系统中的理想选择。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：4.8A
　　导通电阻：27mΩ
　　栅极电荷：19nC
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

PMV56XN 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，从而减少了导通损耗并提高了效率。
　　2. 快速的开关速度，适合高频应用。
　　3. 高电流处理能力，支持高达 4.8A 的连续漏极电流。
　　4. 良好的热稳定性，能够在宽泛的工作温度范围内可靠运行。
　　5. 小巧的封装尺寸，节省了 PCB 空间。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设计中。

应用

PMV56XN 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电池管理和保护电路。
　　3. 电机驱动和控制。
　　4. 负载开关和功率管理模块。
　　5. 工业自动化设备和消费类电子产品。
　　由于其高效的开关特性和较低的功耗，PMV56XN 成为许多便携式设备和高能效系统的核心组件。