您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PMV50XNEAR

PMV50XNEAR 发布时间 时间:2025/9/13 21:11:58 查看 阅读:5

PMV50XNEAR是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的功率MOSFET器件,专为高电流和高效率应用设计。该器件采用先进的TrenchMOS技术,具有低导通电阻和高开关速度,适用于汽车电子、工业控制和电源管理系统等领域。PMV50XNEAR封装形式为DFN(Dual Flat No-leads),提供良好的热性能和空间节省,使其在高功率密度的设计中表现出色。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  漏极电流(ID):10A
  导通电阻(RDS(on)):0.025Ω(最大值)
  栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:DFN10

特性

PMV50XNEAR具备多项高性能特性,首先是其低导通电阻,确保在高电流工作条件下能够最大限度地降低功率损耗,提高系统效率。其次,该器件采用了先进的TrenchMOS技术,不仅提升了导通性能,还增强了开关速度,使其适用于高频开关应用。此外,PMV50XNEAR具有较高的热稳定性和耐久性,能够在严苛的环境条件下稳定运行,例如在高温或高湿度环境中。该器件还具备良好的抗静电能力和过载保护特性,提升了整体系统的可靠性。PMV50XNEAR的DFN10封装设计不仅减小了PCB占用空间,还优化了热管理,使得热量能够更有效地散发,从而延长了器件的使用寿命。

应用

PMV50XNEAR广泛应用于多种高功率和高效率需求的电子系统中,包括汽车电子中的电机驱动、电池管理系统和DC-DC转换器。在工业控制领域,该器件可用于自动化设备的电源开关、负载管理和逆变器系统。此外,PMV50XNEAR还适用于消费类电子产品中的电源管理模块,如笔记本电脑、平板电脑和智能家电的电源控制电路。由于其高可靠性和优异的热性能,该器件也可用于航空航天和军事电子设备中。

替代型号

PMV40XNEAR,PMV60XNEAR,IRF7413,Si4410BDY

PMV50XNEAR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PMV50XNEAR参数

  • 现有数量8,895现货
  • 价格1 : ¥3.34000剪切带(CT)3,000 : ¥0.74676卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,8V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)57 毫欧 @ 3.4A,8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.25V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)5 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)296 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)590mW(Ta),5.6W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-236AB
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3