时间：2025/8/29 21:37:17
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P05N-100ST-A-G 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率晶体管。该器件适用于需要高效能和低导通电阻的应用，如电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器以及负载开关等。P05N-100ST-A-G 采用了先进的沟槽栅技术，具有优异的热稳定性和电气性能，同时具备较高的耐用性和可靠性。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：80A
最大漏源电压（VDS）：100V
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.5V ~ 4.0V
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
P05N-100ST-A-G 具有低导通电阻的特性，这使其在高电流工作条件下能够有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET采用先进的沟槽栅设计，使得导通和开关性能达到最佳平衡，减少了开关损耗并提高了响应速度。
这款器件还具备较高的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定工作，降低了散热设计的复杂度。其最大漏源电压为100V，能够满足大多数中高压功率应用的需求，而最大漏极电流可达80A，使其适用于高功率密度的设计。
此外，P05N-100ST-A-G 的栅极阈值电压范围为2.5V至4.0V，支持常见的10V驱动电压，适用于多种控制电路。其TO-220封装形式便于安装和散热管理，适用于通孔插装工艺，提高了机械稳定性和可靠性。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和抗短路能力，增强了器件在异常工作条件下的耐用性，提高了系统的安全性。
P05N-100ST-A-G 适用于多种功率电子系统，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器以及工业自动化设备中的电源模块。此外，它也可用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等。其高电流能力和低导通电阻使其成为高性能电源管理和功率控制的理想选择。
P06N-100ST-A-G, IPW90R120C3, FDP05N100
