PMV45EN2 时间：2025/5/24 20:39:23 阅读：19

PMV45EN2 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 封装，适用于多种开关和功率管理应用。其设计特点包括低导通电阻、高击穿电压以及出色的开关性能。这种 MOSFET 常用于电源适配器、DC-DC 转换器、电机驱动等领域，能够有效提升系统的效率和可靠性。
　　该器件在高温环境下依然能保持稳定的性能，同时具备良好的抗雪崩能力，确保在过载或异常情况下不会轻易损坏。此外，PMV45EN2 符合 RoHS 标准，环保且适合大规模生产。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：17A
　　导通电阻：8.5mΩ
　　栅极电荷：16nC
　　总电容：1350pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

PMV45EN2 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少导通损耗并提高系统效率。
　　2. 高击穿电压（Vds）使其能够在较高电压环境下稳定运行。
　　3. 快速开关速度，降低了开关损耗。
　　4. 较小的封装尺寸，便于 PCB 布局和设计优化。
　　5. 高温性能优异，可在高达 +150℃ 的结温下工作。
　　6. 环保无铅设计，满足 RoHS 和其他国际标准要求。

应用

PMV45EN2 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和初级侧开关。
　　2. DC-DC 转换器中的功率开关。
　　3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换和保护电路。
　　4. 电机驱动器中的 H 桥和半桥配置。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 汽车电子中的各种功率转换和保护电路。