时间：2025/6/9 18:09:59
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RB520S-30DP-TP 是一种高性能的功率MOSFET器件，采用TO-263封装形式。该产品主要适用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率转换的应用场景。其设计旨在提供低导通电阻和快速开关性能，从而降低功耗并提高效率。
型号：RB520S-30DP-TP
封装：TO-263
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
输入电容(Ciss)：2790pF
总功耗(Ptot)：150W
工作温度范围：-55℃至+150℃
RB520S-30DP-TP具备低导通电阻特性，能够显著减少传导损耗，特别是在大电流应用中表现出色。此外，该器件还具有优秀的开关速度和热稳定性，可承受较高的结温。其内部结构经过优化设计，确保在高频工作条件下依然保持高效率。
TO-263封装提供了良好的散热性能，适合安装在印刷电路板上，并且易于实现自动化生产。由于采用了先进的制造工艺，RB520S-30DP-TP还具备出色的可靠性和耐用性，能够在恶劣环境下长期稳定运行。
RB520S-30DP-TP广泛应用于工业及消费电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关
2. 电动工具和家用电器的电机驱动
3. 汽车电子系统中的负载切换
4. UPS不间断电源的设计
5. 各种DC-DC转换器模块
凭借其卓越的性能，RB520S-30DP-TP成为许多高功率密度设计的理想选择。
IRLB8748PBF
STP80NF03L
FDP150N03BL
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