PMV42ENER 时间：2025/9/14 8:01:02 阅读：14

PMV42ENER是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）制造的高性能射频（RF）功率晶体管，主要用于高功率射频放大器应用。它采用先进的硅基横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术制造，具备高增益、高效率和高可靠性等特点。该器件特别适用于工业、科学和医疗（ISM）频段、广播设备、无线基础设施以及军事和航空航天应用。PMV42ENER支持在1.8 GHz至2.2 GHz频率范围内工作，能够提供高达420 W的连续波（CW）输出功率，是高功率射频放大系统中的理想选择。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　频率范围：1.8 GHz至2.2 GHz
　　输出功率：420 W（CW）
　　漏极效率：约65%
　　增益：约18 dB
　　工作电压：VDD = 28 V
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1
　　热阻（Rth）：0.12°C/W
　　封装类型：ABFL（Advanced Bonding Flat Lead）
　　最大漏极电流：3.5 A
　　最大栅极电压：-10 V至+20 V

特性

PMV42ENER具备多项先进的性能特性，适用于苛刻的高功率射频应用环境。首先，该器件采用了恩智浦的高可靠性LDMOS工艺技术，具备出色的热稳定性和长期可靠性。其高输出功率能力（高达420 W CW）使其非常适合用于高功率放大器模块的设计。此外，PMV42ENER具有良好的线性度和效率，在多种调制格式下（如QAM、OFDM等）均可实现高性能的信号放大。其ABFL封装设计不仅提供了优异的散热性能，还支持表面贴装工艺，提高了生产效率和系统集成度。该晶体管还具备良好的抗失配能力，能够在较高的输入驻波比（VSWR）条件下稳定工作，增强了系统在恶劣环境下的鲁棒性。此外，PMV42ENER在28 V电源供电下运行，与当前主流的LDMOS功率晶体管兼容，便于设计人员进行电源系统规划。整体来看，PMV42ENER是一款在性能、可靠性和封装设计方面均表现出色的射频功率晶体管，适用于广泛的专业射频和微波应用领域。

应用

PMV42ENER主要应用于需要高功率射频输出的系统中，如工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用、广播发射机（如DAB、FM、TV发射机）、无线通信基础设施（包括蜂窝基站和中继器）、军事通信系统、测试和测量设备、雷达系统以及航空航天电子设备。由于其支持1.8 GHz至2.2 GHz的频率范围，该器件特别适用于4G LTE、5G Sub-6GHz通信系统中的高功率放大器设计。此外，PMV42ENER还可用于射频加热、等离子体生成、射频感应等工业应用。其高可靠性和抗干扰能力也使其成为在极端环境下工作的理想选择，例如在高温、高湿度或振动环境中运行的设备。