PMN23UN是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用了先进的TRENCHSTOP技术,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于多种开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。PMN23UN采用微型化的DFN5x6-8L封装形式,有助于减少PCB板空间占用,并提高整体设计的紧凑性。
这款MOSFET在消费电子、工业设备以及通信系统中均有广泛应用,凭借其卓越的性能表现和可靠性,成为许多工程师的理想选择。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:24A
导通电阻(典型值):1.2mΩ
栅极电荷:27nC
开关速度:快速
工作结温范围:-55℃至175℃
PMN23UN具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻Rds(on),能够在高电流条件下保持较低功耗。
2. 小尺寸DFN5x6-8L封装,节省PCB空间并支持表面贴装工艺。
3. 高雪崩能力,提升了器件在异常条件下的耐用性。
4. 符合RoHS标准,环保且适合现代绿色设计需求。
5. 支持高频开关操作,适用于高效能转换电路。
6. 良好的热性能,有助于提升系统的整体稳定性。
7. 内置反向二极管,简化了电路设计并增强了功能。
PMN23UN广泛应用于各种需要高效能功率转换和开关控制的场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. 电池管理系统(BMS)中的负载切换和保护。
3. 工业自动化设备中的电机驱动。
4. 消费类电子产品如智能手机和平板电脑的充电器模块。
5. LED照明驱动电路。
6. 电信基础设施中的DC-DC转换器。
PMN20EN, PMN25UN