时间：2025/9/14 21:23:29
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PMV37ENEAR 是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用TSSOP8（LFPAK）封装。该器件专为需要高效能、低导通电阻和紧凑封装的功率应用而设计，适用于负载开关、DC-DC转换器、电源管理和电池供电系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：1.5A（在Vgs=10V时）
导通电阻(Rds(on))：典型值为230mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：TSSOP8（LFPAK）
PMV37ENEAR 具有出色的热稳定性和电流处理能力，得益于其先进的Trench沟槽技术制造工艺。该MOSFET具备较低的导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，其TSSOP8（LFPAK）封装不仅提供了优良的散热性能，还具有较小的PCB占用空间，非常适合高密度电路设计。该器件符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，适用于工业级和汽车级应用环境。
PMV37ENEAR 的栅极驱动电压范围较宽，可以在+4.5V至+20V之间正常工作，这使其兼容多种驱动电路设计，包括由微控制器直接驱动。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。该MOSFET具备较高的短路耐受能力，能够在恶劣工况下保持稳定运行。
PMV37ENEAR 主要应用于小型电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、工业控制设备以及汽车电子系统。其高效能和小封装特点使其成为便携式电子设备、嵌入式系统和物联网设备中的理想选择。在电源管理领域，该器件可用于实现高效的电源转换和分配，提高系统整体能效。此外，该MOSFET也可用于电机驱动、LED照明控制等需要高频开关的应用场景。
PMV37ENJ, PMV37ENK, PMV38ENEAR
