时间：2025/9/15 1:25:24
阅读：19
PMV280ENEAR 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及其他工业和消费类电子设备中的功率控制需求。PMV280ENEAR 采用小型无铅封装（如 SOT-223），具备良好的热性能和电流承载能力，适合在紧凑的 PCB 设计中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：5.3A（@Tamb=25℃）
导通电阻 Rds(on)：45mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散 Pd：1.5W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：SOT-223
PMV280ENEAR 具备优异的导通性能和低导通电阻（Rds(on)），可在高电流负载下保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。其栅极驱动电压范围宽（可支持 4.5V 至 20V），适用于多种门极驱动器配置，包括逻辑电平驱动。此外，该 MOSFET 的封装设计具备良好的散热性能，能够在高电流工作条件下保持稳定。其无铅封装符合 RoHS 环保标准，适用于现代绿色电子制造流程。
该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和负载开关电路。其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）有助于降低开关损耗，提高系统响应速度。PMV280ENEAR 的高可靠性和耐用性使其在严苛环境中也能稳定运行，适用于汽车电子、工业自动化和便携式设备等多种应用场景。
PMV280ENEAR 广泛应用于各类功率管理电路中，包括但不限于同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、LED 照明控制器、电源适配器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件还可用于汽车电子系统中的开关电源和配电系统，提供高效、可靠的功率管理解决方案。
PMV280ENEA, PMV280E, PMV350ENEAR, Si2302DS, FDS6675
