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PMV280ENEAR 发布时间 时间:2025/9/15 1:25:24 查看 阅读:19

PMV280ENEAR 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计,适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及其他工业和消费类电子设备中的功率控制需求。PMV280ENEAR 采用小型无铅封装(如 SOT-223),具备良好的热性能和电流承载能力,适合在紧凑的 PCB 设计中使用。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压 Vds:30V
  栅源电压 Vgs:±20V
  连续漏极电流 Id:5.3A(@Tamb=25℃)
  导通电阻 Rds(on):45mΩ(@Vgs=10V)
  功率耗散 Pd:1.5W
  工作温度范围:-55℃ ~ 150℃
  封装类型:SOT-223

特性

PMV280ENEAR 具备优异的导通性能和低导通电阻(Rds(on)),可在高电流负载下保持较低的功率损耗,从而提高系统效率。其栅极驱动电压范围宽(可支持 4.5V 至 20V),适用于多种门极驱动器配置,包括逻辑电平驱动。此外,该 MOSFET 的封装设计具备良好的散热性能,能够在高电流工作条件下保持稳定。其无铅封装符合 RoHS 环保标准,适用于现代绿色电子制造流程。
  该器件还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,如同步整流、DC-DC 转换器和负载开关电路。其低栅极电荷(Qg)和低输出电容(Coss)有助于降低开关损耗,提高系统响应速度。PMV280ENEAR 的高可靠性和耐用性使其在严苛环境中也能稳定运行,适用于汽车电子、工业自动化和便携式设备等多种应用场景。

应用

PMV280ENEAR 广泛应用于各类功率管理电路中,包括但不限于同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、LED 照明控制器、电源适配器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外,该器件还可用于汽车电子系统中的开关电源和配电系统,提供高效、可靠的功率管理解决方案。

替代型号

PMV280ENEA, PMV280E, PMV350ENEAR, Si2302DS, FDS6675

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PMV280ENEAR参数

  • 现有数量42,009现货
  • 价格1 : ¥3.82000剪切带(CT)3,000 : ¥0.85345卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)385 毫欧 @ 1.1A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)6.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)190 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)580mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-236AB
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3