时间：2025/5/12 11:23:33
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X20C16JI-35 是一款非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM），结合了高速 SRAM 和非易失性铁电存储器（FRAM）的特点。这种芯片能够在断电时保留数据，同时提供类似 SRAM 的快速读写性能。
该器件采用标准 CMOS 工艺制造，具有低功耗、高可靠性和长寿命等优点，适用于需要频繁写入和保存关键数据的应用场景。
容量：2048 x 8 位 (2KB)
工作电压：2.7V 至 3.6V
接口类型：并行接口
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：SOIC-8
访问时间：35ns
X20C16JI-35 具有以下主要特性：
1. 非易失性：无需电池支持即可在断电后保存数据。
2. 高速操作：35ns 的访问时间确保了快速的数据处理能力。
3. 耐久性：支持超过 10^12 次的写入/擦除周期，远高于传统 EEPROM 或闪存。
4. 低功耗：写入和读取操作时消耗极低的电流，适合对能耗敏感的应用。
5. 宽工作电压范围：2.7V 到 3.6V 的工作电压使其能够适应多种供电环境。
6. 并行接口：易于与微控制器或 FPGA 等设备集成。
X20C16JI-35 主要用于需要高频数据记录和非易失性存储的应用领域，包括但不限于：
1. 工业自动化：实时数据采集和控制系统的数据存储。
2. 医疗设备：保存患者数据或设备校准信息。
3. 计量仪表：如智能电表中保存用电数据。
4. 数据记录仪：用于航空、汽车或其他需要黑匣子功能的场合。
5. 通信系统：存储配置参数和临时数据。
6. 嵌入式系统：作为小型嵌入式设备中的主存储器。
X20C16JN-35, X20C16JF-35
