时间：2025/6/26 22:26:33
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PMV20XNEA是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，主要由东芝（Toshiba）公司生产。该器件适用于各种开关和功率管理应用，其卓越的低导通电阻特性使其成为高效能电源转换的理想选择。PMV20XNEA采用TO-252 (DPAK) 封装形式，具有较高的电流处理能力和耐热性能，同时具备出色的漏源电压和栅极驱动兼容性。
这种MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器以及其他需要高效开关操作的场景中。
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6.1A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷（Qg）：10nC
总功耗（Ptot）：1.8W
工作温度范围：-55℃至175℃
PMV20XNEA的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 较高的漏极电流承载能力，适合大功率应用。
3. 宽泛的工作温度范围，适应极端环境条件。
4. 栅极驱动兼容性良好，便于与各类控制器配合使用。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. TO-252封装设计，简化了PCB布局并增强了散热性能。
PMV20XNEA适用于多种电力电子应用场景，例如：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和降压/升压转换。
2. 手机充电器及适配器中的高效开关元件。
3. 消费类电子产品中的负载开关控制。
4. 工业设备中的电机驱动和保护电路。
5. 照明系统中的LED驱动器应用。
6. 各种便携式设备的电池管理解决方案。
PMV20EN, PMV20UN, IRF7403ZTRPBF
