时间：2025/9/5 0:47:10
阅读：3
LF13WBRB-20S是一款由STMicroelectronics制造的功率MOSFET，主要用于高效率功率转换应用，如电源供应器、DC-DC转换器和电池管理系统。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供了卓越的导通电阻和开关性能，使其在高频操作中表现出色。
类型：功率MOSFET
最大漏极电流：20A
最大漏极-源极电压：60V
导通电阻（Rds(on)）：25mΩ（典型值）
栅极电荷：30nC
工作温度范围：-55°C至175°C
LF13WBRB-20S具有低导通电阻，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET的封装设计提供了良好的热管理能力，使其能够在高功率密度环境下稳定工作。其快速开关特性也使其适用于高频应用，减少开关损耗并提高响应速度。由于采用了先进的硅技术，LF13WBRB-20S在高温环境下依然保持良好的性能和可靠性，适合工业和汽车应用。
LF13WBRB-20S广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：服务器电源、DC-DC转换器模块、电动工具和电动汽车的电池管理系统。此外，该器件也适用于需要高效能功率开关的工业自动化设备和UPS（不间断电源）系统。在这些应用中，LF13WBRB-20S能够提供出色的能效和可靠性，帮助设计工程师实现更紧凑和高效的电源解决方案。
SiR144DP-T1-GE3
