时间：2025/4/29 11:53:27
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PMV20XN是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小外形晶体管封装（SOT-23），具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种低压应用。PMV20XN主要设计用于便携式设备、负载开关、电机驱动和电池供电系统等场景。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：1A
导通电阻：0.085Ω
栅极阈值电压：1.2V
总功耗：410mW
工作温度范围：-55℃至150℃
PMV20XN具有非常低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
其小型SOT-23封装使其非常适合空间受限的应用。
该器件的快速开关能力可以减少开关损耗，并支持高频操作。
由于其较低的栅极电荷和输入电容，PMV20XN能够与各种驱动器轻松接口。
此外，PMV20XN具备良好的热稳定性，可在较宽的工作温度范围内可靠运行。
PMV20XN广泛应用于消费类电子产品中，例如手机、平板电脑和其他便携式设备中的负载开关。
它还适合于小型电机驱动电路，如玩具、风扇或振动马达控制。
在电源管理方面，PMV20XN可用于电池保护、充电电路以及DC-DC转换器。
此外，它也可以用作通用开关或放大器，在音频和信号处理领域发挥重要作用。
PMV20UN, BSS138, 2SK3649
