时间：2025/9/14 9:50:37
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PMV19XNEAR 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性的特点。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流 (Id)：5.6A
最大漏源电压 (Vds)：20V
最大栅源电压 (Vgs)：±12V
导通电阻 (Rds(on))：19mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷 (Qg)：8.5nC @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：DFN2020BD-8 (SOT1118)
安装类型：表面贴装
PMV19XNEAR 具备优异的导通性能与开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。
该器件采用高性能 Trench 技术，确保在高电流下仍能保持稳定工作，并具有良好的热稳定性。
PMV19XNEAR 的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速开关，从而减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。
该 MOSFET 的封装形式为 DFN2020BD-8（SOT1118），具备良好的散热性能，适用于空间受限的高密度 PCB 设计。
此外，该器件符合 RoHS 标准，支持绿色环保设计，并具有高可靠性，适用于汽车电子、工业控制和便携式设备等应用场景。
PMV19XNEAR 主要应用于以下领域：
1. 电源管理系统，如 DC-DC 转换器和负载开关；
2. 电池供电设备中的高效功率控制；
3. 汽车电子系统，包括车载充电器和电机驱动电路；
4. 工业控制设备，如 PLC 和传感器电源管理；
5. 便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和无线耳机等设备中的功率管理模块。
PMV17XNEAR, PMV20XNEAR, BSS138K, FDS6675CZ
