PMV170UN 时间：2025/5/9 11:06:49 阅读：3

PMV170UN是NXP公司生产的NMOS功率晶体管。该器件采用TO-252封装形式，适用于各种开关和负载驱动应用。PMV170UN具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性等特性，能够满足高效能和紧凑设计的需求。
　　该MOSFET广泛用于消费类电子、工业控制以及通信设备中的电源管理电路中。

参数

类型：NMOS
　　封装：TO-252
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：1.8A
　　脉冲漏极电流(Ip)：4.5A
　　导通电阻(Rds(on))：0.24Ω（在Vgs=4.5V时）
　　功耗(Ptot)：1.2W
　　工作温度范围：-55°C to 150°C

特性

PMV170UN是一种高性能的NMOS功率晶体管，具有以下主要特性：
　　1. 低导通电阻确保了较低的传导损耗，提升了整体效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频操作环境。
　　3. 高静电放电(ESD)耐受能力，增强了器件的可靠性。
　　4. 热稳定性良好，即使在高温环境下也能保持稳定性能。
　　5. 小型封装，有助于节省印刷电路板空间，简化设计。

应用

PMV170UN可以应用于多种场景：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
　　2. 各种直流电机驱动电路。
　　3. 负载开关，在便携式设备中实现快速开关功能。
　　4. 电池保护电路，防止过充或过放。
　　5. LED驱动电路，提供精确的电流控制。
　　6. 工业自动化设备中的信号隔离与传输电路。