类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　隔离电压：5000 VRMS
　　正向电压（VF）：1.2V @ 20mA
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：0.4V
　　电流传输比（CTR）：50% - 600%
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　最大集电极电流（IC）：50mA
　　上升时间/下降时间：3μs / 3μs
　　封装形式：DIP-4 或 SOP-4
　　绝缘电阻：≥10^11 Ω
　　介电强度：5000 VAC RMS
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：15 kV/μs

PIO31-100MT光电耦合器具备优异的电气隔离性能，其核心优势在于高隔离电压与强抗干扰能力。该器件采用内部透明绝缘层将输入端的红外发光二极管与输出端的硅光敏晶体管完全隔离，实现了高达5000 VRMS的隔离电压，有效防止高压侧对低压控制系统的反向冲击，保障操作人员与设备的安全。这种物理隔离机制使其非常适合应用于开关电源反馈回路、PLC数字输入模块、逆变器驱动保护电路等高安全性要求的系统中。此外，该光耦具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI），达到15 kV/μs，意味着即使在存在快速电压变化的环境中，也能准确传递信号而不会产生误触发或逻辑错误，提升了整个系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　在性能方面，PIO31-100MT展现出宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +110°C），可在极端冷热环境下稳定运行，适用于工业级甚至部分军用场景。其电流传输比（CTR）典型值为50%至600%，表明在较小的LED驱动电流下即可获得较大的输出电流增益，有利于降低功耗并简化前端驱动电路设计。例如，在微控制器IO口直接驱动时无需额外放大电路即可完成信号隔离。同时，该器件的响应时间较快，上升和下降时间均为3微秒，满足大多数中速信号隔离需求，如PWM调制信号传输、继电器控制、串行通信隔离等。相比传统光耦，PIO31-100MT还优化了老化特性和长期稳定性，减少了随时间推移导致的CTR衰减问题，从而延长了产品使用寿命。封装方面，DIP-4或SOP-4的设计便于手工焊接与自动化贴片生产，兼容主流PCB布局工艺。整体而言，该器件在可靠性、安全性与易用性之间取得了良好平衡，是现代电子系统中理想的隔离解决方案之一。

PIO31-100MT广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在工业控制领域，常用于可编程逻辑控制器（PLC）的数字输入模块，实现现场传感器信号与内部逻辑电路之间的隔离，防止外部高压或噪声侵入CPU单元。在开关电源设计中，该器件可用于反馈回路，将次级侧的电压调节信号安全地传递到初级侧的PWM控制器，实现闭环稳压功能，同时维持原副边之间的绝缘要求。此外，在逆变器、伺服驱动器和UPS不间断电源等电力电子设备中，PIO31-100MT可用于门极驱动电路的信号隔离，提升系统的抗噪能力和安全性。通信接口隔离也是其重要应用场景之一，例如RS-232、RS-485总线系统中用于隔离数据收发通道，防止地环路干扰和雷击感应电压损坏主控芯片。在医疗电子设备中，因其通过多项安全认证，可用于病人连接设备中的信号隔离，确保漏电流极低，符合IEC 60601等医疗安全标准。消费类电子产品如智能家电、充电器、LED照明驱动电源中也普遍采用此类光耦以提升产品安全等级和EMI性能。新能源领域如光伏逆变器和电动汽车车载充电机中，该器件同样发挥着关键作用，用于监控信号采集与控制指令传输的隔离环节。总之，任何涉及高低压混合供电、远距离信号传输或强电磁干扰环境下的系统，均可考虑使用PIO31-100MT作为基础隔离元件。

HCNR201