您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PMT29EN

PMT29EN 发布时间 时间:2025/5/27 19:00:54 查看 阅读:17

PMT29EN是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  这款MOSFET适用于中低电压场景,其出色的电气性能和可靠性使其成为众多电力电子应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:6.1A
  导通电阻:35mΩ
  栅极电荷:11nC
  开关速度:快速
  封装形式:SOT-23

特性

PMT29EN具有以下关键特性:
  1. 低导通电阻(Rds(on)):在典型工作条件下,导通电阻仅为35毫欧,有助于减少功率损耗。
  2. 快速开关性能:低栅极电荷设计确保了更快的开关速度,从而提高了效率并降低了电磁干扰。
  3. 小型封装:采用SOT-23封装,适合空间受限的应用场景。
  4. 高电流承载能力:支持高达6.1A的连续漏极电流,满足多种功率需求。
  5. 可靠性高:经过严格的质量控制和测试流程,确保器件在各种工况下的稳定性和耐用性。

应用

PMT29EN广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 负载开关
  5. 电池管理模块
  6. 消费类电子产品中的功率管理单元

替代型号

PMBF29EN, PMV29EN

PMT29EN推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PMT29EN产品