时间：2025/5/27 19:00:54
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PMT29EN是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款MOSFET适用于中低电压场景，其出色的电气性能和可靠性使其成为众多电力电子应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：6.1A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：11nC
开关速度：快速
封装形式：SOT-23
PMT29EN具有以下关键特性：
1. 低导通电阻（Rds(on)）：在典型工作条件下，导通电阻仅为35毫欧，有助于减少功率损耗。
2. 快速开关性能：低栅极电荷设计确保了更快的开关速度，从而提高了效率并降低了电磁干扰。
3. 小型封装：采用SOT-23封装，适合空间受限的应用场景。
4. 高电流承载能力：支持高达6.1A的连续漏极电流，满足多种功率需求。
5. 可靠性高：经过严格的质量控制和测试流程，确保器件在各种工况下的稳定性和耐用性。
PMT29EN广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 负载开关
5. 电池管理模块
6. 消费类电子产品中的功率管理单元
PMBF29EN, PMV29EN
