MMBV2105LT1是一款来自Diodes Incorporated的高速、低电容ESD保护二极管阵列。该器件设计用于保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)事件的影响,同时保持信号完整性。它适用于USB接口、HDMI端口和其他高速数据线的保护。
该芯片具有超低的电容特性,可以最大限度地减少对高速信号传输质量的影响,同时提供强大的ESD防护能力。其封装形式为超小型SOT363(SC-74),非常适合空间受限的应用场景。
最大工作电压:5.5V
峰值脉冲电流:±8A(8/20μs波形)
ESD保护等级:±20kV(HBM模型)
动态电阻:典型值0.4Ω
结电容:0.4pF(最大值,在VR=0V条件下)
响应时间:典型值1ns
工作温度范围:-40℃至+85℃
封装形式:SOT363(SC-74)
1. 超低结电容,适合高速数据线路应用。
2. 高效的ESD防护性能,可承受高达±20kV的ESD冲击。
3. 小型化封装,节省PCB板空间。
4. 快速响应时间,确保瞬态浪涌得到有效抑制。
5. 宽工作电压范围,适用于多种电源和信号环境。
6. 稳定的电气特性和可靠性,适合长期使用。
1. USB 2.0/3.0接口保护。
2. HDMI、DisplayPort等高速视频接口的ESD防护。
3. 移动设备中的音频和射频信号线保护。
4. 工业控制系统的通信端口防护。
5. 消费类电子产品中的数据线保护,如手机、平板电脑和笔记本电脑等。
6. 无线模块的数据传输线保护,例如蓝牙和Wi-Fi模块。
PESD2V8Y1BLT1G, SM712, TVS2105